
“金貴”的第三代半導體材料,封裝過程中降低“受損率”至關(guān)重要
Third generation semiconductor materials
半導體封裝是一套非常復雜的流程,支撐起了全球龐大的產(chǎn)業(yè)鏈條,這個鏈條上的每一環(huán)都有著細致的分工和嚴苛的要求,封裝形式和封裝技術(shù)也非常多,且在不斷迭代當中。
隨著終端市場需求的不斷升級,如今半導體材料已經(jīng)發(fā)展到了第三代,第四代也已在研究當中,雖然現(xiàn)在還未得到廣泛應用,但對下游產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展有著積極的導向作用。
第三代半導體材料的特性及應用
第一代半導體材料中的硅(Si)目前依然是市場上最主流的半導體材料,制程技術(shù)最為成熟,成本也最低;第二代半導體材料主要應用在射頻、通訊及照明產(chǎn)業(yè),市場份額相對較小。
第三代半導體材料具有寬禁帶、高熱導率、高發(fā)光效率、高電子密度、高遷移率、高飽和電子速度等特性。SiC的擊穿電場強度高于Si一個數(shù)量級,飽和電子漂移速度是Si的2.5倍。
所以,第三代半導體材料更適用于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件,在5G基站、快充、智能電網(wǎng)、新能源汽車、半導體激光器等領(lǐng)域大有可為。
第三代半導體材料的應用難點
成本高
易碎
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